經(jīng)濟(jì)導(dǎo)報(bào)記者 戚晨 謝衛(wèi)振
10月16日，山東有研艾斯12英寸集成電路用大硅片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目通線儀式在德州天衢新區(qū)舉行。該項(xiàng)目一期投資25億元，達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)12英寸拋光片月產(chǎn)10萬(wàn)片，是中國(guó)有研布局的重點(diǎn)項(xiàng)目，也是山東省內(nèi)第一條12英寸集成電路用大硅片生產(chǎn)線。
通線當(dāng)日，經(jīng)濟(jì)導(dǎo)報(bào)記者走進(jìn)山東有研艾斯生產(chǎn)車間，車間內(nèi)工人們身著潔凈服進(jìn)行操作，在線切割車間，單晶硅經(jīng)過切割機(jī)操作被切割成厚度僅一毫米的硅片，而這僅僅是硅片切割的首個(gè)環(huán)節(jié)。經(jīng)濟(jì)導(dǎo)報(bào)記者看到，清洗檢測(cè)是硅片出廠前的最后一道程序，透過操作車間玻璃可以看到，工作人員正操作專用儀器查看硅片表面顆粒數(shù)量及尺寸。
“硅片制作程序非常復(fù)雜，有線切割、倒角、研磨等40-50道工序，對(duì)平整度要求極高，硅片直徑300毫米，而頭發(fā)直徑只有100微米，但最終硅片出廠時(shí)最高與最低的平整度誤差不能超過0.1微米。”山東有研艾斯總經(jīng)理閆志瑞介紹，作為山東唯一一家生產(chǎn)12英寸大硅片的企業(yè)，硅片直徑越大，對(duì)材料和技術(shù)的要求就越高，制造難度也越大，生產(chǎn)過程涉及亞微米甚至納米級(jí)別的結(jié)構(gòu)，工藝穩(wěn)定性、產(chǎn)品質(zhì)量參數(shù)一致性、單臺(tái)設(shè)備產(chǎn)能和產(chǎn)品單位成本持續(xù)降低控制等都是需要考慮的因素。
“從8英寸到12英寸不僅僅是尺寸的變大。”閆志瑞對(duì)經(jīng)濟(jì)導(dǎo)報(bào)記者表示，目前12英寸是全世界直徑最大的主流產(chǎn)品，硅片的直徑越大，可利用的面積比例越高，每一個(gè)集成塊的成本就越低，追根到底是一個(gè)成本的降低，該項(xiàng)目同樣也是山東省唯一一家制作12英寸硅片的廠家，全部達(dá)產(chǎn)后將形成360萬(wàn)片/年大硅片的生產(chǎn)規(guī)模。
據(jù)悉，12英寸硅片技術(shù)參數(shù)要求比8英寸更高，各工藝環(huán)節(jié)需要長(zhǎng)期積累，其中單晶工藝是最為核心的技術(shù)，其決定了硅片尺寸、電阻率、純度、氧含量、位錯(cuò)、晶體缺陷，山東有研艾斯攻克了單晶微缺陷、硅片幾何尺寸、硅片表面沾污等關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)，已在多家國(guó)內(nèi)外知名集成電路制造企業(yè)開展產(chǎn)品驗(yàn)證。隨著集成電路制程和工藝的發(fā)展，硅片趨向大尺寸化和制程精細(xì)化，12英寸硅片為當(dāng)前及未來較長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)的主流產(chǎn)品。
自2013年引進(jìn)外資芯片封裝企業(yè)威訊聯(lián)合半導(dǎo)體公司開始，山東省德州市利用10年時(shí)間，推動(dòng)電子信息產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)了從無(wú)到有、多點(diǎn)開花的蝶變。目前德州擁有電子信息規(guī)上企業(yè)123家，去年實(shí)現(xiàn)主營(yíng)業(yè)務(wù)收入近300億元。
德州集成電路產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)10年發(fā)展，從無(wú)到有，從起步到起勢(shì)，正處在加速發(fā)展期。目前，已初步形成涵蓋半導(dǎo)體材料、芯片設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試、終端應(yīng)用等環(huán)節(jié)的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈。電子信息產(chǎn)業(yè)入選山東省戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)集群和特色產(chǎn)業(yè)集群，正爭(zhēng)創(chuàng)國(guó)家級(jí)戰(zhàn)新產(chǎn)業(yè)集群。近五年來，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值年均增長(zhǎng)近20%。德州集成電路產(chǎn)業(yè)已成為山東半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的重要增長(zhǎng)極。
德州天衢新區(qū)是德州發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的主陣地，目前，德州天衢新區(qū)依托中國(guó)有研“集成電路關(guān)鍵材料國(guó)家工程研究中心”，打造了占地800余畝，總投資93.4億元的中國(guó)集成電路關(guān)鍵材料（德州）基地，包括8英寸、12英寸硅片、高純?yōu)R射靶材、刻蝕設(shè)備用硅材料等七個(gè)項(xiàng)目。全部達(dá)產(chǎn)后將形成年產(chǎn)6英寸硅片180萬(wàn)片、8英寸硅片276萬(wàn)片、12英寸硅片360萬(wàn)片、12-18英寸硅單晶504噸、高純?yōu)R射靶材4.3萬(wàn)塊、高純貴金屬213噸，將成為北方最大的集成電路用大硅片生產(chǎn)基地，使山東省躋身硅材料產(chǎn)業(yè)國(guó)內(nèi)第一方陣、靶材產(chǎn)業(yè)遙遙領(lǐng)先。
